發布者: 奧卡斯 / 2021-05-19 /
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臺積電17日聯合臺大、麻省理工宣布,在1nm以下芯片方面取得了長足的進步,研究成果已經在Nature上公布。
研究發現,使用半金屬鉍Bi作為二維材料的接觸電極,可以大大降低電阻,增加電流,達到接近量子極限的能效,有望挑戰1nm以下工藝的芯片。
據悉,該發現是麻省理工團隊首先發現的,隨后臺積電將易沉積工藝優化,而臺大電機系和光電所教授吳志毅團隊則通過氦離子束微影系統將元件通道成功縮小到納米大小。
此前,IBM于5月初推出2nm工藝芯片。與目前主流的7nm芯片相比,IBM2nm芯片的性能有望提高45%,能耗降低75%。
但業內人士表示,由于IBM沒有先進的邏輯制程芯片晶圓廠,其2nm工藝不能迅速落地,彎道超車更加困難。
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